应数理学院郝会颖教授邀请，中国科学院半导体所游经碧研究员来我校进行学术交流，并做学术报告。

　　题目：钙钛矿半导体光电器件

　　时间:  2018年12月11日（星期二）下午14:00

　　地点:  教五楼409

摘要：金属卤化物钙钛矿材料作为一类新型半导体光电材料，既具有吸收系数高、载流子扩散长度长，又具有发光效率高等特点，在太阳能电池、发光二极管等方面都具有很好的发展前景。近年来，钙钛矿光电转换器件研究取得了巨大的进展，其太阳能光电转换效率已达到23.3%，可与传统的硅电池媲美；发光二极管外量子效率已超过20%，并保持迅猛发展态势。本报告将简要介绍目前国内外钙钛矿光电器件研究的进展。重点介绍我们在钙钛矿电池和发光二极管方面所开展的一系列工作，包括如何通过钙钛矿薄膜可控生长、界面调控等方法实现高效稳定的钙钛矿电池及发光二极管。

报告人简介：游经碧，中国科学院半导体研究所，研究员，博士生导师。2015年入选第十一批中组部“青年千人计划”人才项目。2005年于湖北大学电子科学技术系获学士学位，2010年在中国科学院半导体研究所获博士学位，2010-2015年在加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料科学与工程系从事博士后研究工作，随后进入中国科学院半导体研究所工作。目前研究兴趣包括：新一代高效太阳能电池，新型半导体材料光电器件。近年来，发表学术论文80余篇，在包括Nature 系列(10篇), Account of Chemical Research, Adv. Mater等学术杂志上发表论文80余篇, 所发表论文被他引15000余次。

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